A positive-working radiation-sensitive resin composition showing a good throughput upon production of semiconductors or the like and less process dependence of dimensional accuracy as well as having high sensitivity and high resolution, and being able to form a pattern with good shape and a high aspect ratio. The positive-working radiation-sensitive resin composition comprises (i) a radiation-sensitive novolak resin comprising a reaction product between an alkali-soluble novolak resin from which low-molecular-weight components have been removed by fractional treatment and an o-naphthoquinonediazide compound, or a product obtained by removing low-molecular-weight components by fractional treatment from a reaction product between an alkali-soluble novolak resin and an o-naphthoquinonediazide compound, and (ii) a low-molecular compound represented by the general formula (I) and having phenolic hydroxyl group or groups: ##STR1## wherein R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3, R.sub.4, R.sub.5, R.sub.6 and R.sub.7 each represents independently H, a C.sub.1 to C.sub.4 alkyl group, a C.sub.1 to C.sub.4 alkoxyl group, a cyclohexyl group or a group represented by the formula: ##STR2## wherein R.sub.8 represents H, a C.sub.1 to C.sub.4 alkyl group, a C.sub.1 to C.sub.4 alkoxyl group or a cyclohexyl group; each of m and n is 0, 1 or 2; each of a, b, c, d, e, f, g and h is 0 or an integer of 1 to 5 satisfying a+b.ltoreq.5, c+d.ltoreq.5, e+f.ltoreq.5, and g+h.ltoreq.5; and i is 0, 1 or 2.

Una composizione sensibile alla radiazione difunzionamento nella resina che mostra un buon rendimento sulla produzione dei semiconduttori e simili e su meno dipendenza trattata di esattezza così come avere alta sensibilità e di alta risoluzione dimensionali e potere formare un modello con buona figura e un alto allungamento. La composizione sensibile alla radiazione difunzionamento nella resina contiene (i) una resina sensibile alla radiazione del novolak che contiene un prodotto di reazione fra una resina solubile in alcali del novolak da cui i componenti a basso peso molecolare sono stati rimossi dal trattamento frazionario e da un residuo di o-naphthoquinonediazide, o un prodotto ottenuto rimuovendo i componenti a basso peso molecolare dal trattamento frazionario da un prodotto di reazione fra una resina solubile in alcali del novolak e un residuo di o-naphthoquinonediazide e (ii) un residuo a basso peso molecolare ha rappresentato la formula generale (i) ed avendo il gruppo o gruppi fenolici dell'idrossile: ## del ## STR1 in cui R.sub.1, R.sub.2, R.sub.3, R.sub.4, R.sub.5, R.sub.6 e R.sub.7 ciascuno rappresenta indipendentemente la H, un C.sub.1 al gruppo alchile C.sub.4, un C.sub.1 al gruppo alcossile C.sub.4, ad un gruppo cicloesilico o ad un gruppo hanno rappresentato dalla formula: ## del ## STR2 in cui R.sub.8 rappresenta la H, un C.sub.1 al gruppo alchile C.sub.4, un C.sub.1 al gruppo alcossile C.sub.4 o ad un gruppo cicloesilico; ciascuna della m. e della n è 0, 1 o 2; ciascuna della a, della b, della c, della d, della e, della f, del g e della h è 0 o un numero intero di 1 - 5 a+b.ltoreq.5, c+d.ltoreq.5, e+f.ltoreq.5 e g+h.ltoreq.5 di soddisfazione; e la i è 0, 1 o 2.