A SAW filter comprising a piezoelectric substrate and at least two filter tracks formed on the substrate, each having at least two IDT electrodes for input and output. The two filter tracks have substantially the same phase within a pass band, while it is substantially inverse-phased outside the pass band. For realizing the above-described conditions, input IDT electrode of one filter track is connected in parallel with input IDT electrode of the other filter track, while output IDT electrode of one filter track is connected in parallel with output IDT electrode of the other filter track. Furthermore, frequency values of said two filter tracks substantially coincide at a point 3 dB lower from the peak transfer function value. Thus the above-configured SAW filter of the present invention is smaller in the overall size and offers a broad pass band and a steep attenuation characteristic.

Un filtre de SCIE comportant un substrat piézoélectrique et au moins deux voies de filtre ont formé sur le substrat, chacun ayant au moins deux électrodes d'IDT pour l'entrée et le rendement. Les deux voies de filtre ont sensiblement la même phase dans une bande de passage, alors qu'elle inverse-est sensiblement mise en phase en dehors de la bande de passage. Pour réaliser les conditions décrites ci-dessus, l'électrode entrée d'IDT d'une voie de filtre est reliée parallèlement à l'électrode de l'entrée IDT de l'autre voie de filtre, alors que l'électrode du rendement IDT d'une voie de filtre est reliée parallèlement à l'électrode du rendement IDT de l'autre voie de filtre. En outre, les valeurs de fréquence de lesdites deux voies de filtre coïncident sensiblement à un DB du point 3 plus bas de la valeur maximale de fonction de transfert. Ainsi le filtre au-dessus-configuré de SCIE de la présente invention est plus petit dans la taille globale et offre une large bande de passage et une caractéristique raide d'atténuation.