A new method and apparatus for detecting and measuring the level of metal present on the surface of a substrate is achieved. Energy, in the form of rf or light or microwave energy, is directed at the surface of a wafer, the reflected energy or the energy that passes through the semiconductor substrate is captured and analyzed for energy level and/or frequency content. Based on this analysis conclusions can be drawn regarding presence and type of metal on the surface of the wafer. Furthermore, by inclusion of metal within the resonating circuit of an rf generator changes the frequency of the vibration and therefore detects the presence of metal.

Een nieuw methode en een apparaat om het niveau van metaal te ontdekken en te meten huidig op de oppervlakte van een substraat worden bereikt. De energie, in de vorm van rf of licht of microgolfenergie, wordt geleid bij de oppervlakte van een wafeltje, de weerspiegelde energie of de energie wordt die door het halfgeleidersubstraat overgaat gevangen en voor energieniveau en/of frequentieinhoud geanalyseerd. Gebaseerd bij de deze analyse kunnen de gevolgtrekkingen betreffende aanwezigheid en type van metaal op de oppervlakte van het wafeltje worden gemaakt. Voorts door opneming van metaal binnen de resonerende kring van rf verandert de generator de frequentie van de trilling en ontdekt daarom de aanwezigheid van metaal.