A subcritical or supercritical water is used to selectively etch a silicon nitride film against a silicon dioxide film or to selectively etch a silicon dioxide film against a crystalline silicon region. This method is applicable to a process of forming a MISFET or a charge emitting device.

Uma água subcritical ou supercritical é usada gravar seletivamente uma película do nitride de silicone de encontro a uma película do dióxido do silicone ou gravar seletivamente uma película do dióxido do silicone de encontro a uma região cristalina do silicone. Este método é aplicável a um processo de dar forma a um MISFET ou a uma carga que emitem-se o dispositivo.