A method for forming an conductive interconnection in an electronic semiconductor device includes forming a layer of insulating material on a substrate of semiconductor material having a contact region therein, and forming a first opening through the layer of insulating material to expose the contact region. The first opening is filled with a material to form a first connection element. A first layer comprising a first removable conductive material is formed adjacent the layer of insulating material and the first connection element. The method further includes forming a second opening in the first layer to expose the first connection element, and filling the second opening with the material to form a second connection element. The first removable conductive material is removed except for a portion underlying the second connection element to expose the layer of insulating material. The areas left free after removing the first removable conductive material are filled with a dielectric material.

Een methode om een geleidende interconnectie in een elektronisch halfgeleiderapparaat te vormen omvat het vormen van een laag van het isoleren van materiaal op een substraat van halfgeleidermateriaal dat een contactgebied heeft daarin, en het eerste openen door de laag van het isoleren van materiaal vormt om het contactgebied bloot te stellen. Het eerste openen wordt gevuld met een materiaal om een eerste verbindingselement te vormen. Een eerste laag die uit een eerste verwijderbaar geleidend materiaal bestaat wordt gevormd adjacent de laag van het isoleren van materiaal en het eerste verbindingselement. De methode omvat verder het vormen van het tweede openen in de eerste laag om het eerste verbindingselement bloot te stellen, en het vullen van het tweede openen met het materiaal om een tweede verbindingselement te vormen. Het eerste verwijderbare geleidende materiaal wordt behalve een gedeelte verwijderd dat aan het tweede verbindingselement ten grondslag ligt om de laag bloot te stellen van het isoleren van materiaal. De gebieden verlaten worden vrij na het verwijderen van het eerste verwijderbare geleidende materiaal gevuld met een diëlektrisch materiaal.