It is the object of the present invention to provide not only a semiconductor wafer obtained by forming a semiconductor thin film with uniform resistivity and substantially no slip dislocation on a main surface of a semiconductor single crystal substrate having a relatively low dopant concentration, as large as 300 mm or more in diameter but also a vapor phase growth apparatus by means of which such a semiconductor wafer can be produced. A dopant gas is supplied into a reaction chamber 10 through all of the inlet ports 18a to 18f disposed in a width direction of the reaction chamber 10 from a common gas pipe 22a functioning as a main dopant gas pipe. Further, the dopant gas is additionally supplied through inner inlet ports 18a and 18b, and middle inlet ports 18c and 18d, as specific gas inlet ports, into the reaction chamber 10 from first and second auxiliary dopant gas pipes 22b and 22c.

Es el objeto de la actual invención para proveer no solamente de una oblea de semiconductor obtenida formando una película fina del semiconductor resistencia uniforme y substancialmente ninguna dislocación del resbalón en una superficie principal de un substrato del solo cristal del semiconductor que tiene una concentración de dopant relativamente baja, tan grande como 300 milímetros o más en diámetro pero también un aparato del crecimiento de la fase del vapor por medio de el cual tal oblea de semiconductor pueda ser producida. Un gas del dopant se provee en un compartimiento 10 de la reacción con todos los puertos 18a de la entrada a 18f dispuesto en una dirección de la anchura del compartimiento 10 de la reacción de una pipa común 22a del gas que funciona como una pipa principal del gas del dopant. Además, el gas del dopant se provee además a través de los puertos internos 18a y 18b de la entrada, y de los puertos medios 18c y 18d de la entrada, como puertos específicos de la entrada del gas, en el compartimiento 10 de la reacción las pipas de primero y en segundo lugar auxiliares 22b y 22c del gas del dopant.