The method is used to fabricate pure copper sputter targets. It includes first heating a copper billet to a temperature of at least 500.degree. C. The copper billet has a purity of at least 99.99 percent. Then warm working the copper billet applies at least 40 percent strain. Cold rolling the warm worked copper billet then applies at least 40 percent strain and forms a copper plate. Finally, annealing the copper plate at a temperature above about 250.degree. C. forms a target blank. The target blank has equiaxed grains having an average grain size of less than 40 .mu.m. The grains of the target blank have (111), (200), (220) and (311) orientations with the amount of the grains having each of the orientations being less than 50 percent.

Die Methode wird verwendet, um reines Kupfer zu fabrizieren spritzen Ziele. Sie schließt erste Heizung ein kupfernes Billet zu einer Temperatur von mindestens 500.degree ein. C. Das kupferne Billet hat eine Reinheit von mindestens 99.99 Prozent. Dann wendet warme Funktion das kupferne Billet mindestens 40 Prozent Belastung an. Die Kälte, die das warme bearbeitete kupferne Billet dann rollt, wendet mindestens 40 Prozent Belastung an und bildet eine kupferne Platte. Schließlich die kupferne Platte bei einer Temperatur über 250.degree ungefähr tempernd. C. bildet einen Zielfreien Raum. Der Zielfreie Raum hat equiaxed die Körner, die eine durchschnittliche Korngröße von weniger mu.m als 40 haben. Die Körner des Zielfreien Raumes haben (111), (200), (220) und (311) Lagebestimmungen mit der Menge der Körner, die jede der Lagebestimmungen haben, die kleiner als 50 Prozent sind.