An alignment method for aligning each shot area on a photosensitive substrate with a reticle according to array coordinate predicted by a statistical technique with an improved alignment precision without inviting degradation of throughput, wherein a plurality of alignment marks 29-1, 30-1, 34-1, 35-1 in a short area 27-1 and so forth provided on the n-th wafer 8 (1.ltoreq.n.ltoreq.N-1) are measured to carry out the alignment of the shot area with the reticle considering the misalignment of the wafer 8 and the distortion of the shot area 27-1 and so forth, and one alignment mark in a shot are 27-1 or another provided on the (n+k)th wafer 8 (1.ltoreq.k.ltoreq.N-n) is measured to carry out the alignment of the shot area with the reticle considering the misalignment of the wafer 8 found from the measurement results, and the distortion of the shot area 27-1 and so forth obtained when the nth wafer 8 is processed.

Une méthode d'alignement pour aligner chacune a tiré le secteur sur un substrat photosensible avec un réticule selon la coordonnée de rangée prévue par une technique statistique avec une précision améliorée d'alignement sans dégradation d'invitation de sortie, où une pluralité de repères d'alignement 29-1, 30-1, 34-1, 35-1 dans un secteur court 27-1 et ainsi de suite fourni sur la nième gaufrette 8 (1.ltoreq.n.ltoreq.N-1) sont mesurées pour effectuer l'alignement du secteur de projectile avec le réticule considérant la déviation d'alignement de la gaufrette 8 et la déformation du secteur 27-1 de projectile et ainsi de suite, et un repère d'alignement dans un projectile sont 27-1 ou des autres fournis sur (gaufrette 8 de n+k)th (1.ltoreq.k.ltoreq.N-n) est mesuré pour effectuer l'alignement du secteur de projectile avec le réticule considérant la déviation d'alignement de la gaufrette 8 a trouvé des résultats de mesure, et de la déformation du secteur 27-1 de projectile et ainsi de suite obtenu quand la nième gaufrette 8 est traitée.