An image display device has an image display section including an insulating substrate having a matrix of pixels formed on an inner surface thereof and a liquid crystal layer sandwiched between the insulating substrate and a substrate opposing the insulating substrate. The image display device includes signal lines, driver circuits for driving the matrix of pixels via the signal lines, voltage amplifiers formed by polycrystalline semiconductor TFTs and each coupled between one of the signal lines and a corresponding one of the driver circuits. The signal lines, the driver circuits and the voltage amplifiers are formed on a surface of the insulating substrate on a side thereof facing the liquid crystal layer. A channel, a source and a drain of the polycrystalline semiconductor TFTs each are formed of a polycrystalline semiconductor film. A gate insulating film and a gate electrode are superposed on the polycrystalline semiconductor film in the order named. The polycrystalline semiconductor TFTs are provided with a second region of the channel having a threshold voltage higher than a threshold voltage of a first region of the channel on a drain side thereof.

Un dispositivo de exhibición de la imagen tiene una sección de la exhibición de la imagen incluyendo un substrato aislador que tiene una matriz de los pixeles formados en una superficie interna de eso y una capa cristalina líquida intercalada entre el substrato aislador y un substrato que oponen el substrato aislador. El dispositivo de exhibición de la imagen incluye las líneas de señales, conductor circula para conducir la matriz de pixeles vía las líneas de señales, los amplificadores del voltaje formados por el semiconductor polycrystalline TFTs y cada uno juntados entre una de las líneas de señales y correspondiente de los circuitos del conductor. Las líneas de señales, los circuitos del conductor y los amplificadores del voltaje se forman en una superficie del substrato aislador en un lado de eso que hace frente a la capa cristalina líquida. Un canal, una fuente y un dren del semiconductor polycrystalline TFTs cada uno se forman de una película polycrystalline del semiconductor. Una película aislador de la puerta y un electrodo de puerta son sobrepuestos en la película polycrystalline del semiconductor en la orden nombrada. El semiconductor polycrystalline TFTs se proporciona una segunda región del canal que tiene un voltaje del umbral más arriba que un voltaje del umbral de una primera región del canal en un lado del dren de eso.