In a computer RAM memory system, the memory is subjected to a self test operation during which data is written to and read out from each address location of the memory. The data read out is compared with the written data to detect errors and the number of errors at each bit position is counted. When the number of errors in a bit position-exceeds a selected threshold, the corresponding DRAM is replaced by a spare DRAM. When the self test detects two or more errors in the same double word, the DRAM corresponding to the bit position having the highest error count is replaced with a spare DRAM. The memory is periodically scrubbed and errors detected during the scrubbing operation are counted for each bit position. At the end of the scrubbing of a chip row the DRAMs corresponding to bit positions at which the error counts exceed a selected threshold are replaced with spare DRAMs. When a multiple bit error in a double word is detected during scrubbing, the corresponding double word is tagged.

Σε ένα σύστημα μνήμης RAM υπολογιστών, η μνήμη υποβάλλεται σε μια μόνη λειτουργία δοκιμής κατά τη διάρκεια στης οποίας το στοιχείο γράφεται και διαβάζεται έξω από κάθε θέση διευθύνσεων της μνήμης. Το στοιχείο που διαβάζεται έξω συγκρίνεται με τα γραπτά στοιχεία για να ανιχνεύσει τα λάθη και ο αριθμός λαθών σε κάθε θέση κομματιών μετριέται. Όταν ο αριθμός λαθών σε λίγο θέση-υπερβαίνει ένα επιλεγμένο κατώτατο όριο, το αντίστοιχο DRAM αντικαθίσταται από ένα εφεδρικό DRAM. Όταν η μόνη δοκιμή ανιχνεύει δύο ή περισσότερα λάθη στην ίδια διπλή λέξη, το DRAM που αντιστοιχεί στη θέση κομματιών που έχει την υψηλότερη αρίθμηση λάθους αντικαθίσταται με ένα εφεδρικό DRAM. Η μνήμη τρίβεται περιοδικά και τα λάθη που ανιχνεύονται κατά τη διάρκεια της λειτουργίας τριψίματος μετριούνται για κάθε θέση κομματιών. Στο τέλος του τριψίματος μιας σειράς τσιπ τα DRAM που αντιστοιχούν στο κομμάτι τοποθετούν στο οποίο οι αριθμήσεις λάθους υπερβαίνουν ένα επιλεγμένο κατώτατο όριο αντικαθίστανται με τα εφεδρικά DRAM. Όταν ένα πολλαπλάσιο λάθος κομματιών σε μια διπλή λέξη ανιχνεύεται κατά τη διάρκεια του τριψίματος, η αντίστοιχη διπλή λέξη κολλιέται.