A light emitting device and photodetector combination having a structure in which the layer of the photodetector that contacts the light emitting device is separated from the light emitting device by a native semiconductor oxide layer that is both insulating and has a refractive index lower than that of the light emitting device and the photodetector. This configuration results in a light emitting device and photodetector structure that minimizes the capture of the spontaneous emission light output from the light emitting device by the photodetector while electrically isolating the light emitting device from the photodetector. The electrical isolation of the light emitting device from the photodetector results in a four terminal device in which the light emitting device and photodetector may be independently biased, and can therefore be operated at a very low bias voltage.

Een lichte uitzendende apparaat en fotodetectorcombinatie die een structuur heeft waarin de laag van de fotodetector die contacteert het lichte uitzendende apparaat van het lichte uitzendende apparaat door een inheemse laag wordt gescheiden van het halfgeleideroxyde die zowel isoleert als r i lager dan dat van het lichte uitzendende apparaat en de fotodetector heeft. Deze configuratie resulteert in een lichte uitzendende apparaat en fotodetectorstructuur die de vangst van de spontane emissie lichte output van het lichte uitzendende apparaat door de fotodetector terwijl elektrisch het isoleren van het lichte uitzendende apparaat van de fotodetector minimaliseert. De elektroisolatie van het lichte uitzendende apparaat van de fotodetector resulteert in een eindapparaat vier waarin het lichte uitzendende apparaat en de fotodetector onafhankelijk kunnen worden beïnvloed, en daarom bij een zeer laag bias voltage kunnen worden in werking gesteld.