The present invention provides a surface emitting semiconductor laser that,
with a relatively simple construction, can control the polarization of
laser beam to a given direction and obtain a low threshold current and
high output. Also, the present invention provides a laser array that has
substantially no variations in polarization properties among plural laser
devices arranged on a single substrate. In a surface emitting
semiconductor laser in which upper and lower reflecting mirror layers are
formed on a main face of a semiconductor substrate to sandwich an active
layer, at least one of the upper and lower reflecting films including a
selective oxidation layer oxidized in a circumferential part thereof, the
main face of the semiconductor substrate is tilted with respect to a face
containing a reference crystal axis, and the selective oxidation layer is
formed by oxidizing a layer to be oxidized from a circumferential part
thereof, wherein the circumferential shape of the layer, when cut by a
face parallel to the main face, has at least no singular point and is
macroscopically smooth.
Присытствыющий вымысел обеспечивает поверхностный испуская лазер полупроводника, с относительно просто конструкцией, может контролировать поляризацию лазерныйа луч к, котор дали направлению и получать низкийа порог в настоящее время и наивысшийа уровень выработки. Также, присытствыющий вымысел предусматривает блок лазера который имеет substantially no изменения в свойствах поляризации среди плюральных приспособлений лазера аранжированных на одиночном субстрате. В поверхностном испуская лазере полупроводника в верхнее и более низкое отражая зеркало наслаивает сформируйте на главной стороне субстрата полупроводника для того чтобы прослоить активно слой, по крайней мере одно верхний и более низкий отражать снимает включая селективный слой оксидации окисленной в окружной части thereof, главная сторона субстрата полупроводника опрокинута по отношению к стороне содержа ось справки crystal, и селективный слой оксидации сформирован путем окислять слой, котор нужно окислить от окружной части thereof, при котором окружная форма слоя, отрезано стороной параллельной к главной стороне, не имеет по крайней мере никакой исключительный пункт и макроскопически ровно.
