A TMR element includes: a free layer formed on a lower gap layer; a tunnel barrier layer formed on the free layer; and a pinned layer formed on the tunnel barrier layer. In the step of forming the tunnel barrier layer on the free layer, an Al layer used for making the tunnel barrier layer is formed through sputtering, for example, on the free layer while the substrate is cooled. The Al layer is oxidized to form the tunnel barrier layer.

Ένα στοιχείο TMR περιλαμβάνει: ένα ελεύθερο στρώμα διαμόρφωσε σε ένα χαμηλότερο στρώμα χάσματος ένα στρώμα εμποδίων σηράγγων διαμόρφωσε στο ελεύθερο στρώμα και ένα καρφωμένο στρώμα διαμόρφωσε στο στρώμα εμποδίων σηράγγων. Στο βήμα της διαμόρφωσης του στρώματος εμποδίων σηράγγων στο ελεύθερο στρώμα, ένα στρώμα Al που χρησιμοποιείται για την παραγωγή του στρώματος εμποδίων σηράγγων διαμορφώνεται μέσω της επιμετάλλωσης, παραδείγματος χάριν, στο ελεύθερο στρώμα ενώ το υπόστρωμα δροσίζεται. Το στρώμα Al είναι οξειδωμένο για να διαμορφώσει το στρώμα εμποδίων σηράγγων.