It is intended to provide a semiconductor device, its manufacturing method
and substrate for manufacturing the semiconductor device which ensures
that good cleavable surfaces be made stably in a semiconductor layer under
precise control upon making edges of cleaves surfaces in the semiconductor
layer stacked on a substrate even when the substrate is non-cleavable,
difficult to cleave or different in cleavable orientation from the
semiconductor layer. A semiconductor layer 2 made of III-V compound
semiconductors is stacked to form a laser structure on a sapphire
substrate 1. In selective locations other than the location of a ridge
stripe portion 11 and a mesa portion 12 along a portion of a semiconductor
layer 2 where a cavity edge 3 should be made, namely, in locations at
opposite sides of the mesa portion 12, stripe-shaped cleavage-assist
grooves 4 are made to extend in parallel to the (11-20)-oriented surface
of the semiconductor layer 2, and the semiconductor layer 2 and the
sapphire substrate 1 are cleaved from the cleavage-assist groove 4 to make
the cavity edge 3 made up of the cleavable surface of the semiconductor
layer 2.
Se piensa para proporcionar un dispositivo de semiconductor, su método de fabricación y el substrato para fabricar el dispositivo de semiconductor que se asegura de que las buenas superficies cleavable estén hechas estable en una capa del semiconductor bajo control exacto sobre la fabricación de los bordes de hiende superficies en la capa del semiconductor apilada en un substrato incluso cuando el substrato es no-non-cleavable, difícil de hender o diferente en la orientación cleavable de la capa del semiconductor. Una capa 2 del semiconductor hizo de III-V que los semiconductores compuestos se apilan para formar una estructura del laser en un substrato 1 del zafiro. En localizaciones selectivas con excepción de la localización de una porción 11 y un mesa de la raya del canto reparta 12 a lo largo de una porción de una capa 2 del semiconductor donde un borde 3 de la cavidad debe ser hecho, a saber, a localizaciones en los lados opuestos de la porción 12 del mesa, raya-formados hendidura-asista a los surcos 4 se hacen para extender en paralelo a (la superficie 11-20)-oriented de la capa 2 del semiconductor, y la capa 2 del semiconductor y el substrato 1 del zafiro se hienden de hendidura-asisten al surco 4 para hacer que la cavidad afila 3 compuestos de la superficie cleavable de la capa 2 del semiconductor.
