An embodiment of the instant invention is a method of forming a conductive contact to a top electrode (308 and 310 of FIG. 4d) of a ferroelectric capacitor comprised of a bottom electrode (304 of FIG. 4d) situated under the top electrode and a ferroelectric material (306 of FIG. 4d) situated between the top electrode and the bottom electrode, the method comprising the steps of: forming a layer (408 or 312 of FIG. 4) over the top electrode; forming an opening (414 of FIG. 4d) in the layer to expose a portion of the top electrode by etching the opening into the layer using a hydrogen-free etchant; and depositing conductive material (432 of FIG. 4d) in the opening to form an electrical connection with the top electrode.

Воплощением the instant вымысла будет метод формировать проводной контакт к верхнему электроду (308 и 310 из FIG 4d) ferroelectric конденсатора, котор состоят из нижнего электрода (304 из FIG 4d) расположенного под верхний электрод и ferroelectric материал (306 из FIG 4d) расположенные между верхним электродом и нижним электродом, методом состоя из шагов: формировать слой (408 или 312 из FIG 4) над верхним электродом; формирующ отверстие (414 из FIG 4d) в слое для того чтобы подвергнуть действию часть верхнего электрода путем вытравлять отверстие в слой использующ водопод-svobodno etchant; и депозируя проводной материал (432 из FIG 4d) в отверстии для того чтобы сформировать электрическое соединение с верхним электродом.