A semiconductor structure and a scheme for forming a layer of amorphous material on a semiconductor substrate are provided. In accordance with one embodiment of the present invention, a semiconductor structure is provided comprising an amorphous alloy formed over at least a portion of a semiconductor substrate. The amorphous alloy comprises amorphous aluminum nitride (AlN) and amorphous gallium nitride (GaN). The amorphous alloy may be characterized by the following formula: Al.sub.x Ga.sub.1-x N where x is a value greater than zero and less than one. The amorphous alloy may further comprise indium nitride. Relative proportions of aluminum and gallium in the amorphous aluminum gallium nitride alloy are controlled to engineer the band gap of the amorphous alloy.

Una struttura a semiconduttore e uno schema per formare uno strato di materiale amorfo su un substrato a semiconduttore sono forniti. In conformità con un metodo di realizzazione di presente invenzione, una struttura a semiconduttore è fornita che contiene un'eccedenza formata lega amorfa almeno una parte di un substrato a semiconduttore. La lega amorfa contiene il nitruro di alluminio amorfo (AlN) ed il nitruro amorfo del gallio (GaN). La lega amorfa può essere caratterizzata dalla seguente formula: Al.sub.x Ga.sub.1-x N dove la x è un valore più notevolmente zero e più meno d'uno. La lega amorfa può più ulteriormente contenere il nitruro dell'indio. Le proporzioni relative di alluminio e di gallio nella lega di alluminio amorfa del nitruro del gallio sono controllate per costruire lo spacco della fascia della lega amorfa.