Improved bandwidths and oscillation uniformity is obtained through a rod type BAW TFR structure formed over a semiconductor support. The resonator includes a first and a second electrode and a plurality of distinct elemental piezoelectric structures between the electrodes. Each of the piezoelectric structures has a length, a width and a height, the height being the distance between the electrodes. The height of the piezoelectric structures is at least equal to or more than one of the length or the width, or both. Such resonator is made by forming on a common bottom a plurality of distinct piezoelectric structures each having a length, a width and a height, wherein the height is formed at least equal to the width or the length of the piezoelectric structure, and forming a common top electrode thereover.

Улучшенные ширины полосы частот и единообразие колебания получены через структуру типа BAW TFR штанги сформированную над поддержкой полупроводника. Резонатор вклюает первый и второй электрод и множественность определенных elemental пьезоэлектрических структур между электродами. Каждая из пьезоэлектрическими структурами имеет длину, ширину и высоту, высоту расстояние между электродами. Высота пьезоэлектрических структур по крайней мере равна к или больше чем одн длины или ширины, или об. Такой резонатор сделан путем формировать на общем дне множественность определенных пьезоэлектрических структур каждое имея длину, ширину и высоту, при котором высота сформированные по крайней мере равными к ширине или длине пьезоэлектрической структуры, и формируя общее верхнее thereover электрода.