A metal-to-metal antifuse according to the present invention is disposed between a lower conductive electrode and an upper conductive electrode. The conductive electrodes may comprise either a barrier metal or a tungsten plug, and are each in electrical contact with a metal layer, usually a metal interconnect layer in an integrated circuit. An antifuse material is disposed between the lower and upper conductive electrodes and comprises a layer of amorphous silicon. The antifuse layer is sandwiched between two layers of silicon nitride.

Un antifuse metallo con metallo secondo la presente invenzione è disposto di fra un elettrodo conduttivo più basso e un elettrodo conduttivo superiore. Gli elettrodi conduttivi possono contenere un metallo della barriera o una spina del tungsteno e sono ciascuno in contatto elettrico con uno strato del metallo, solitamente uno strato di interconnessione del metallo in un circuito integrato. Un materiale del antifuse è disposto di fra gli elettrodi conduttivi più bassi e superiori e contiene uno strato silicone amorfo. Lo strato del antifuse è intramezzato fra due strati del nitruro di silicio.