A semiconductor laser device of the present invention includes, in this order: a GaN layer; an Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N (0.05.ltoreq.x1.ltoreq.0.2) lower cladding layer; an In.sub.y1 Ga.sub.1-y1 N (0 Een apparaat van de halfgeleiderlaser van de onderhavige uitvinding omvat, in deze orde: een laag GaN; lagere de bekledingslaag een van Al.sub.x1 Ga.sub.1-x1 N (0.05.ltoreq.x1.ltoreq.0.2); een In.sub.y1 Ga.sub.1-y1 N (0