A method of forming an integrated circuit including a Schottky diode includes providing a substrate of a first conductivity type, defining a region of a second conductivity type relative to the substrate and forming an insulator over the second conductivity type region. The method also includes removing an area of the insulator for definition of a contact hole, and removing an area encircling the contact hole and forming highly doped regions of the second conductivity type in second conductivity type regions encircling the contact hole. The method further includes depositing a Schottky metal in the contact hole and annealing the metal to form a suicide interface to the second conductivity type region.

Метод формировать интегрированную цепь включая диод schottky вклюает обеспечивать субстрат первого типа проводимости, определять зону второго типа проводимости по отношению к субстрату и формировать изолятор над второй зоной типа проводимости. Метод также вклюает извлекать зону изолятора для определения отверстия контакта, и извлекающ область обводя отверстие контакта и формируя высоки данные допинг зоны второй проводимости напечатайте внутри вторые зоны на машинке типа проводимости обводя отверстие контакта. Метод более дальнейший вклюает депозировать металл schottky в отверстие контакта и обжигать металл для того чтобы сформировать поверхность стыка суицида к второй зоне типа проводимости.