In.sub.x Ga.sub.1-x As structures with compositionally graded buffers grown with organometallic vapor phase epitaxy (OMPVE) on GaAs substrates. A semiconductor structure and a method of processing such a structure including providing a substrate of GaAs; and epitaxially growing a relaxed graded layer of In.sub.x Ga.sub.1-x As at a temperature ranging upwards from about 600.degree. C.

In.sub.x ga.sub.1-X als structuren met wat betreft de samenstelling gesorteerde buffers die met organometallic damp worden gekweekt faseren epitaxy (OMPVE) op GaAs substraten. Een halfgeleiderstructuur en een methode om een dergelijke structuur te verwerken met inbegrip van het verstrekken van een substraat van GaAs; en epitaxially kwekend een ontspannen gesorteerde laag van In.sub.x ga.sub.1-X zoals bij een temperatuur ongeveer naar omhoog zich uitstrekt van 600.degree. C.