A precursor for forming an aluminum oxide film comprises a liquid solution of an aluminum organic precursor compound in an organic solvent. In a second embodiment, the precursor comprises a suspension of aluminum oxide powder in a solution of an aluminum organic precursor compound. A precursor according to the invention is deposited on a substrate by dipping, rolling, spraying, misted deposition, spin on deposition, or chemical vapor deposition then heated to fabricate transparent aluminum oxide films. The electronic properties of the aluminum oxide films may be improved by depositing a plurality of layers of the precursor and annealing the precursor between layers.

Een voorloper voor het vormen van een film van het aluminiumoxyde bestaat uit een vloeibare oplossing van een samenstelling van de aluminium organische voorloper in een organisch oplosmiddel. In een tweede belichaming, bestaat de voorloper uit een opschorting van het poeder van het aluminiumoxyde in een oplossing van een samenstelling van de aluminium organische voorloper. Een voorloper volgens de uitvinding wordt gedeponeerd op een substraat door onder te dompelen, rollen, die misted deposito, rotatie bij deposito, of het chemische dampdeposito dan verwarmd om de transparante films van het aluminiumoxyde te vervaardigen bespuit. De elektronische eigenschappen van de films van het aluminiumoxyde kunnen worden verbeterd door een meerderheid van lagen van de voorloper te deponeren en de voorloper tussen lagen te ontharden.