A control of a flash memory includes control for supplying a pulse-shaped voltage to each of non-volatile memory cells until a threshold voltage of the non-volatile memory cell having a first threshold voltage is changed to a second threshold voltage. The control involves a first write mode (coarse write) in which the amount of change in threshold voltage of each non-volatile memory cell, which is varied each time the pulse-shaped voltage is applied, is relatively rendered high, and a second write mode (high-accuracy write) in which the amount of change in threshold voltage thereof is relatively rendered low. As compared with the high-accuracy mode, the number of pulses required to change the threshold voltage of each memory cell is smaller than that in the coarse write mode. Therefore, the number of verify operations at the time that the coarse write mode is used, is small and hence the entire write operation can be speeded up.

Une commande d'une mémoire instantanée inclut la commande pour assurer une tension impulsion-formée à chacune de cellules de mémoire non-volatile jusqu'à ce qu'une tension de seuil de la cellule de mémoire non-volatile ayant une première tension de seuil soit changée en deuxième tension de seuil. La commande implique un premier écrivent le mode (brut écrivez) en lequel la quantité de changement de tension de seuil de chaque cellule de mémoire non-volatile, qui est changée chaque fois la tension impulsion-formée est appliquée, est relativement haute rendue, et une deuxième écrivent le mode (de grande précision écrivez) en lequel la quantité de changement de tension de seuil en est relativement le bas rendu. Par rapport au mode de grande précision, le nombre d'impulsions exigées pour changer la tension de seuil de chaque cellule de mémoire est plus petit que cela dans le brut écrivent le mode. Par conséquent, le nombre de vérifient que les opérations alors que les bruts écrivent à mode sont employés, sont petits et par conséquent l'entier écrivent l'opération peuvent être accélérées.