It is an object of the present invention to provide a ferroelectric capacitor which maintains high ferroelecticity. A silicon oxide layer 2, a lower electrode 12, a ferroelectric layer 8 and an upper electrode 10 are formed on a silicon substrate 2. The lower electrode 12 is formed by an alloy layer made of iridium and platinum. The alloy layer of the lower electrode 12 can be formed under appropriate lattice constant correspond with a kind and composition of the ferroelectric layer 8.

Будет предметом присытствыющего вымысла для того чтобы обеспечить ferroelectric конденсатор поддерживает высокое ferroelecticity. Слой 2 окиси кремния, более низкий электрод 12, ferroelectric слой 8 и верхний электрод 10 сформированы на субстрате 2 кремния. Более низкий электрод 12 сформирован слоем сплава сделанным иридия и платины. Слой сплава более низкого электрода 12 можно сформировать под соотвествующей константой решетки соответствует с видом и составом ferroelectric слоя 8.