A nanoporous dielectric film useful for the production of semiconductor devices, integrated circuits and the like, is provided, together with processes for producing these improved films. The films are produced by a process that includes (a) preparing a silicon-based, precursor composition including a porogen, (b) coating a substrate with the silicon-based precursor to form a film, (c) aging or condensing the film in the presence of water, (d) heating the gelled film at a temperature and for a duration effective to remove substantially all of said porogen, and wherein the applied precursor composition is substantially aged or condensed in the presence of water in liquid or vapor form, without the application of external heat or exposure to external catalyst.

Een nanoporous diëlektrische film nuttig voor de productie van halfgeleiderapparaten, geïntegreerde schakelingen en dergelijke, wordt verstrekt, samen met processen om deze betere films te produceren. De films worden geproduceerd door een proces dat (a) voorbereidend een op silicium-gebaseerde, voorlopersamenstelling met inbegrip van een porogen omvat, (b) met een laag bedekkend een substraat met de op silicium-gebaseerde voorloper om een film te vormen, (c) verouderend of condenserend de film in aanwezigheid van water, (d) verwarmend de gegelatineerde film bij een temperatuur en voor een duur efficiënt om elk van bovengenoemde porogen wezenlijk te verwijderen, en waarin de aangebrachte voorlopersamenstelling wezenlijk is verouderd of in aanwezigheid van water in vloeistof of dampvorm, zonder de toepassing van externe hitte of blootstelling op externe katalysator gecondenseerd.