Efficiency of leading out light released from an active layer, i.e. the external quantum efficiency, can be improved remarkably by processing a light lead-out surface to have an embossment. A layer containing a p-type dopant like magnesium (Mg) is deposited near the surface of a p-type GaN layer to diffuse it there, and a p-side electrode is made on the p-type GaN layer after removing the deposited layer. This results in ensuring ohmic contact with the p-side electrode, preventing exfoliation of the electrode and improving the reliability.

A eficiência de conduzir para fora da luz liberada de uma camada ativa, isto é a eficiência externa do quantum, pode ser melhorada notàvelmente processando um claro conduz-para fora à superfície para ter um embossment. Uma camada que contem um p-tipo dopant como o magnésio (magnésio) é depositada perto da superfície de um p-tipo camada de GaN para difundi-lo lá, e de um p-lado que o elétrodo é feito no p-tipo camada de GaN após ter removido a camada depositada. Isto resulta em assegurar o contato ôhmico com o elétrodo do p-lado, em impedir o exfoliation do elétrodo e em melhorar a confiabilidade.