A sense amplifier control circuit for use in a semiconductor memory device is provided which comprises a sense amplifier comprising first transistors of a first conductivity type connected in the form of a latch type differential amplifier, a set driver corresponding to the sense amplifier and the set driver comprising a second transistor of a second conductivity type for connecting the common source line of the latch type differential amplifier to a restore power supply line.

Um circuito de controle do amplificador do sentido para o uso em um dispositivo de memória do semicondutor é fornecido que compreenda um amplificador do sentido que compreende primeiros transistor de um primeiro tipo do conductivity conectado no formulário de um tipo amplificador diferencial, um excitador do jogo que correspondem ao amplificador do sentido e o excitador da trava do jogo que compreende um segundo transistor de um segundo tipo do conductivity para conectar a linha de fonte comum do tipo amplificador diferencial da trava a uma linha da fonte de alimentação do restore.