A magnetoresistance effect element includes a free layer, a pinned layer and a non-magnetic intermediate layer interposed between the free layer and the pinned layer. Additionally, a metal barrier layer is provided adjacent to the first magnetic layer. An electron reflecting layer located adjacent to the metal barrier layer contains at least one selected from oxides, nitrides, carbides, fluorides, chlorides, sulfides and borides.

Um elemento do efeito da magnetorresistência inclui uma camada livre, uma camada fixada e uma camada intermediária non-magnetic interposed entre a camada livre e a camada fixada. Adicionalmente, uma camada de barreira do metal é fornecida junto à primeira camada magnética. Uma camada refletindo do elétron situada junto à camada de barreira do metal contem ao menos um selecionado dos óxidos, dos nitrides, dos carbides, dos fluoretos, dos cloretos, dos sulfides e dos borides.