An active matrix semiconductor device is provided which is free of unevenness in image. The analog switch and buffer in a drive circuit are structured by a plurality of parallel-connected analog switches and buffers each formed by a TFT with a small channel width. The carrier moving direction of these TFTs are oblique relative to a scanning direction of a linear laser used for laser crystallization. By doing so, the analog switch and the buffer are decreased in characteristic variation with deterioration suppressed. Thus an active matrix semiconductor device is realized which is free of unevenness in image.

Een actief apparaat van de matrijshalfgeleider wordt verstrekt dat van ongelijkheid in beeld vrij is. De analoge schakelaar en de buffer in een aandrijvingskring worden gestructureerd door een meerderheid van parallel-verbonden analoge schakelaars en buffers elk gevormd door een TFT met een kleine kanaalbreedte. De drager bewegende richting van deze TFTs is schuin met betrekking tot een aftastenrichting van een lineaire laser die voor laserkristallisatie wordt gebruikt. Door dit te doen, zijn de analoge schakelaar en de buffer verminderd in kenmerkende variatie met onderdrukte verslechtering. Aldus wordt een actief apparaat van de matrijshalfgeleider gerealiseerd dat van ongelijkheid in beeld vrij is.