A method of filling gaps between adjacent gate electrodes of a semiconductor structure. A self-planarizing material is deposited over the structure. A first portion of such material flow between the gate electrode to fill the gaps and a second portion of such material becomes deposited over tops of the gate electrodes and over the gaps to form a layer with a substantially planar surface. A phosphorous dopant is formed in the second portion of the self-planarizing material. Thus, relatively small gaps may be filled effectively with a layer having a very planar surface for subsequent photolithography. The phosphorous dopant provides gettering to remove adverse effects of alkali contaminant ions which may enter the gap filling material. The dielectric constant of the material filing the gaps, i.e., the first portion of the gap filling material, being substantially free of such contaminants, has a relatively low dielectric constant thereby reducing electrical coupling between adjacent electrodes. The self-planarizing material is a flowable material. The flowable oxide may be spun on or may be deposited by gaseous deposition. The phosphorous dopant may be provided by, for example: implanting phosphorous ions into the second portion of the self-planarizing layer and heating the material to both cure such material and activate the phosphorous ions; depositing a phosphorous doped layer over the layer of self-planarizing material, heating the structure to out-diffuse the phosphorous dopant into the second portion of the self-planarizing material and selectively removing the deposited layer; or by curing the spun-on self-planarizing material in a phosphine environment.

Un metodo di riempirsi apre fra gli elettrodi di cancello adiacenti di una struttura a semiconduttore. Un materiale di auto-planarizing è depositato sopra la struttura. Una prima parte di tale flusso di materiale fra l'elettrodo di cancello per colmare le lacune e una seconda parte di tale materiale si transforma in in parti superiori eccessive depositate degli elettrodi e dell'eccedenza di cancello le lacune per formare uno strato con una superficie sostanzialmente planare. Un dopant fosforoso è formato nella seconda parte del materiale di auto-planarizing. Quindi, le lacune relativamente piccole possono essere colmate efficacemente di strato che ha una superficie molto planare per photolithography successivo. Il dopant fosforoso fornisce gettering per rimuovere gli effetti contrari degli ioni dell'agente inquinante dell'alcali che possono entrare nel materiale di aggregazione di spacco. Il costante dielettrico della limatura materiale le lacune, cioè, la prima parte del materiale di aggregazione di spacco, essendo sostanzialmente esente da tali agenti inquinanti, ha un costante dielettrico relativamente basso quindi ridurre l'accoppiamento elettrico fra gli elettrodi adiacenti. Il materiale di auto-planarizing è un materiale fluido. L'ossido fluido può essere filato sopra o può essere depositato tramite il deposito gassoso. Il dopant fosforoso può essere fornito vicino, per esempio: l'impianto degli ioni fosforosi nella seconda parte dell'auto-planarizing fanno uno strato di e riscaldare il materiale sia alla cura tale materiale che attivano gli ioni fosforosi; depositare uno strato verniciato fosforoso sopra lo strato del materiale di auto-planarizing, riscaldante la struttura fuori-diffonde il dopant fosforoso nella seconda parte del materiale e selettivamente della rimozione di auto-planarizing dello strato depositato; o curando fil- sul materiale di auto-planarizing in un ambiente della fosfina.