The present invention provides a method for appraising the condition of a polishing cloth, and a method for manufacturing semiconductor wafers employing the disclosed appraisal method, allowing acceptably low light point defect numbers of semiconductor wafers to be maintained. The disclosed method comprises polishing the semiconductor wafer using a polishing cloth, washing the wafer, and drying the wafer. The size of particles comprising light point defects is chosen, and the number of light point defects on the semiconductor wafer is counted. Typically, the diameter of particles comprising light point defects is set as 0.12 .mu.m or greater. The polishing cloth is exchanged when the number of light point defects counted exceeds a prescribed number.

De onderhavige uitvinding verstrekt een methode om de voorwaarde van een oppoetsende doek te schatten, en een methode om halfgeleiderwafeltjes te vervaardigen aanwendend de onthulde schattingsmethode, die aanvaardbaar het tekortaantallen van het laag lichtpunt halfgeleiderwafeltjes toelaat om worden gehandhaafd. De onthulde methode bestaat uit het oppoetsen van het halfgeleiderwafeltje gebruikend een oppoetsende doek, wassend het wafeltje, en drogend het wafeltje. De grootte die van deeltjes uit lichte punttekorten bestaat wordt gekozen, en het aantal lichte punttekorten op wordt het halfgeleiderwafeltje geteld. Typisch, wordt de diameter die van deeltjes uit lichte punttekorten bestaat geplaatst als 0,12 mu.m of groter. De oppoetsende doek wordt geruild wanneer het aantal lichte getelde punttekorten een voorgeschreven aantal overschrijdt.