An architecture for a magnetoresistive random access memory (MRAM) storage cell 300 with reduced parasitic effects is presented. An additional runs of metal laid in parallel to both the wordline 310 and the bitlines 320 of the MRAM device provide a write wordline 345 and a write bitline 355 are separated from the wordline and the bitline by a dielectric layer 340 and 350 provides electrical isolation of the write currents from the magnetic stacks. The electrical isolation of the write wordline 345 and bitlines 355 reduces the parasitic capacitance, inductance, and resistance seen by the wordline and bitlines during the write operation. The wordline 310 and bitlines 320 remain as in a standard MRAM cross-point array architecture and is dedicated for reading the contents of the MRAM storage cell.

Un'architettura per una cellula magnetoresistente 300 di immagazzinaggio di memoria di accesso casuale (MRAM) con gli effetti parassita ridotti è presentata. I funzionamenti supplementari di metallo risieduti nel parallelo sia al wordline 310 che ai bitlines 320 del dispositivo di MRAM forniscono un wordline 345 di scrittura e un bitline 355 di scrittura è separato dal wordline ed il bitline dagli strati dielettrico 340 e 350 fornisce l'isolamento elettrico delle correnti di scrittura dalle pile magnetiche. L'isolamento elettrico del wordline 345 di scrittura e dei bitlines 355 riduce la capacità, l'induttanza e la resistenza parassita vista dal wordline e dai bitlines durante il funzionamento di scrittura. Il wordline 310 ed i bitlines 320 rimangono come in un'architettura standard di allineamento del incrocio di MRAM ed è dedicati per la lettura del contenuto della cellula di immagazzinaggio di MRAM.