In order that reaction products of low vapor pressure may be prevented from being deposited on the side wall of a predetermined pattern when this pattern is to be formed by dry-etching a Pt film or a PZT film, a resist mask 54 having a rounded outer periphery at its head is used when the Pt film 53 deposited on a semiconductor substrate 50 is to be dry-etched. After this dry-etching, moreover, an overetching of a proper extent is performed to completely remove the side wall deposited film 55 which is left on the side of the pattern. The resist mask 54 is formed by exposing and developing a benzophenone novolak resist and subsequently by heating to set it while irradiating it, if necessary, with ultraviolet rays.

Opdat de reactieproducten van lage dampdruk op de zijmuur van een vooraf bepaald patroon kunnen worden verhinderd worden gedeponeerd wanneer dit patroon moet worden gevormd door een film van PT of een film droog-te etsen PZT, verzet me tegen masker 54 die een rond gemaakte buitenperiferie heeft bij zijn hoofd wordt gebruikt wanneer film 53 van PT die op een halfgeleidersubstraat 50 wordt gedeponeerd moet droog- wordengeëtst. Na deze droog-ets, bovendien, wordt het overetching van een juiste omvang uitgevoerd om zijmuur gedeponeerde film 55 volledig te verwijderen die aan de kant van het patroon wordt verlaten. Verzet me tegen masker 54 wordt gevormd door bloot te stellen en ontwikkelt benzophenone novolak verzet tegenme en later door om het te verwarmen te plaatsen terwijl het bestralen van het, indien nodig, met ultraviolette stralen.