A maskless, extreme ultraviolet (EUV) lithography system uses microlens arrays to focus EUV radiation (at an operating wavelength of 11.3 nm) onto diffraction-limited (58-nm FWHM) focused spots on a wafer printing surface. The focus spots are intensity-modulated by means of microshutter modulators and are raster-scanned across a wafer surface to create a digitally synthesized exposure image. The system uses a two-stage microlens configuration to achieve both a high fill factor and acceptable transmission efficiency. EUV illumination is supplied by a 6 kHz xenon plasma source, and the illumination optics comprise an aspheric condenser mirror, a spherical collimating mirror, and two sets of flat, terraced fold mirrors that partition the illumination into separate illumination fields covering individual microlens arrays. (The system has no projection optics, because the image modulator elements are integrated with the microlens arrays.) The printing throughput is estimated to be 62 (300-mm) wafers per hour (assuming a resist exposure threshold of 20 mJ/cm.sup.2), and print resolution is estimated at 70 nanometers for mixed positive- and negative-tone patterns (at k.sub.1 =0.6).

Ένα maskless, ακραίο σύστημα υπεριώδους (EUV) λιθογραφίας χρησιμοποιεί microlens τις σειρές στρέφω την ακτινοβολία EUV (σε ένα λειτουργούν μήκος κύματος 11,3 NM) επάνω στα διάθλαση-περιορισμένα (58nm FWHM) σημεία σε μια επιφάνεια εκτύπωσης γκοφρετών. Τα σημεία εστίασης είναι μεταβαλόμενα ως προς την ένταση με τη βοήθεια των διαμορφωτών microshutter και ράστερ-ανιχνεύονται πέρα από μια επιφάνεια γκοφρετών για να δημιουργήσουν μια ψηφιακά συντεθειμένη εικόνα έκθεσης. Το σύστημα χρησιμοποιεί μια δύο σταδίων διαμόρφωση microlens για να επιτύχει και έναν υψηλό παράγοντα αφθονίας και την αποδεκτή αποδοτικότητα μετάδοσης. Ο φωτισμός EUV παρέχεται από μια xenon 6 kHz πηγή πλάσματος, και η οπτική φωτισμού περιλαμβάνει έναν ασφαιρικό καθρέφτη συμπυκνωτών, σφαιρικό να συμφωνήσει καθρέφτη, και δύο σύνολα επίπεδων, terraced καθρεφτών πτυχών που χωρίζουν το φωτισμό στους χωριστούς τομείς φωτισμού που καλύπτουν τις μεμονωμένες σειρές microlens. (Το σύστημα δεν έχει καμία οπτική προβολής, επειδή τα στοιχεία διαμορφωτών εικόνας είναι ενσωματωμένα με στις σειρές microlens.) Η ρυθμοαπόδοση εκτύπωσης υπολογίζεται για να είναι 62 (300mm) γκοφρέτες ανά ώρα (να υποθέσει αντιστέκεται στο κατώτατο όριο έκθεσης 20 mJ/$l*cm.sup.2), και το ψήφισμα τυπωμένων υλών υπολογίζεται σε 70 nanometers για το μικτό θετικό - και αρνητικός-τόνου σχέδια (k.sub.1 = 0,6).