An embodiment of the instant invention is a method of fabricating a
ferroelectric memory device (125 of FIG. 1) comprised of a top electrode
(128 and 130 of FIG. 1) over a bottom electrode (124 of FIG. 1) with a
ferroelectric material (126 of FIG. 1) located between the top electrode
and the bottom electrode, the method comprising the steps of: providing a
stack including: a layer of bottom electrode material, a layer of top
electrode material, and a layer of ferroelectric material situated between
the layer of bottom electrode material and the top electrode material;
depositing a layer of hardmask material on the layer of top electrode
material, the hardmask material being comprised of a refractory nitride;
removing a portion of the layer of hardmask material thereby exposing a
portion of the layer of top electrode material by subjecting the portion
of the layer of hardmask material to a first gas comprised of a first
chlorine-bearing species and argon; removing the exposed portion of the
layer of top electrode material thereby exposing a portion of the layer of
ferroelectric material by subjecting the exposed portion of the layer of
top electrode material to a second gas comprised of nitrogen, a first
oxygen-bearing species, argon, and a second chlorine-bearing species;
removing the exposed portion of the layer of ferroelectric material
thereby exposing a portion of the layer of bottom electrode material by
subjecting the exposed portion of the ferroelectric material to a third
gas comprised of a third chlorine-bearing species, a second oxygen-bearing
species, and a first fluorine-bearing species; and removing the exposed
portion of the layer of bottom electrode material by subjecting the
exposed portion of the layer of bottom electrode material to a fourth gas
comprised of nitrogen, argon, a fourth chlorine-bearing species, and a
third oxygen-bearing species.
Воплощением the instant вымысла будет метод изготовлять ferroelectric приспособление памяти (125 из FIG 1), котор состоят из электрода верхней части (128 и 130 из FIG 1) над нижним электродом (124 из FIG 1) с ferroelectric материалом (126 из FIG 1) размещали между верхним электродом и нижним электродом, методом состоя из шагов: обеспечивать стог включая: слой материала нижнего электрода, слой верхнего материала электрода, и слой ferroelectric материала расположенный между слоем материала нижнего электрода и верхнего материала электрода; депозирующ слой материала hardmask на слое верхнего материала электрода, материал hardmask будучи ым тугоплавкого нитрида; извлекающ часть слоя материала hardmask таким образом подвергая действию часть слоя верхнего материала электрода путем подвергать часть слоя материала hardmask к первому газу, котор состоят из первых вида и аргона хлор-podwipnika; извлекающ, котор подвергли действию часть слоя верхнего материала электрода таким образом подвергая действию часть слоя ferroelectric материала путем подвергать, котор подвергли действию часть слоя верхнего материала электрода к второму газу, котор состоят из азота, первого вида кислород-podwipnika, аргона, и второго вида хлор-podwipnika; извлекающ, котор подвергли действию часть слоя ferroelectric материала таким образом подвергая действию часть слоя материала нижнего электрода путем подвергать, котор подвергли действию часть ferroelectric материала к третьему газу, котор состоят из третьего вида хлор-podwipnika, второго вида кислород-podwipnika, и первого вида фтор-podwipnika; и извлекающ, котор подвергли действию часть слоя материала нижнего электрода путем подвергать, котор подвергли действию часть слоя материала нижнего электрода к четвертому газу, котор состоят из азота, аргона, четвертого вида хлор-podwipnika, и третьего вида кислород-podwipnika.
