A semiconductor memory device is provided which ensures the symmetry of memory data transmission time and a high-speed operation and has large write/read operation margin with no need of increasing the chip area. By placing a horizontally long peripheral circuit section in the middle in the vertical direction of a semiconductor chip, placing a vertically long shift register section above and below and perpendicularly to the peripheral circuit section, and making the memory core and shift register arrangement symmetrical in the horizontal direction, the data/signal lines between the memory core and the shift register section can be made short and the symmetry of the interconnections can be maintained, which allows the implementation of a high-speed and large-margin semiconductor memory device. In addition, a faster semiconductor memory can be obtained by forming the shift register section by stacking shift registers each corresponding to a data block and selecting the order in which the shift registers are stacked so that the length of interconnections between the peripheral circuit and the shift register is minimized.

Een apparaat van het halfgeleidergeheugen wordt verstrekt dat de symmetrie van de transmissietijd van geheugengegevens en een hoge snelheidsverrichting verzekert en groot heeft schrijven/gelezen verrichtingsmarge zonder behoefte om het spaandergebied te verhogen. Door een horizontaal lange randkringssectie in het midden in de verticale richting te plaatsen die van een halfgeleiderspaander, een verticaal lange sectie van het verschuivingsregister hierboven plaatst en hieronder en loodrecht aan de randkringssectie, en de van de geheugenkern en verschuiving symmetrische registerregeling maakt in de horizontale richting, boren uit de gegevens/de signaallijnen tussen het geheugen en de sectie van het verschuivingsregister kan plotseling worden gemaakt en de symmetrie van de interconnecties kan worden gehandhaafd, die de implementatie van een hoge snelheid en groot-margeapparaat van het halfgeleidergeheugen toestaat. Bovendien kan een sneller halfgeleidergeheugen worden verkregen door de sectie te vormen van het verschuivingsregister door verschuivingsregisters te stapelen elk blokkeer die aan een gegeven beantwoordt en de orde selecteert waarin de verschuivingsregisters worden gestapeld zodat de lengte van interconnecties tussen de randkring en het verschuivingsregister wordt geminimaliseerd.