A semiconductor structure for implementing optical beam switching includes a monocrystalline silicon substrate and an amorphous oxide material overlying the monocrystalline silicon substrate. A monocrystalline perovskite oxide material overlies the amorphous oxide material and a monocrystalline compound semiconductor material overlies the monocrystalline perovskite oxide material. An optical source component that is operable to transmit radiant energy is formed within the monocrystalline compound semiconductor layer. A diffraction grating including an electrochromic portion is optically coupled to the optical source component.

Uma estrutura do semicondutor para executar o switching ótico do feixe inclui uma carcaça monocrystalline do silicone e um óxido amorfo materiais overlying a carcaça monocrystalline do silicone. Um material monocrystalline do óxido do perovskite overlies o material amorfo do óxido e um material monocrystalline do semicondutor composto overlies o material monocrystalline do óxido do perovskite. Um componente ótico da fonte que seja operável transmitir a energia radiante é dado forma dentro da camada monocrystalline do semicondutor composto. Um grating de diffraction including uma parcela electrochromic é acoplado ótica ao componente ótico da fonte.