An infrared thermographic technique for rapid parallel screening of compositional arrays of potential chemical sensor materials has been developed. The technique involves applying a voltage bias and the associated current to the sample array during screening. The thermographic response is amplified by the resistance change that occurs with gas adsorption, and is directly monitored as the temperature change associated with I.sup.2 R heating. This technique can also be used to determine n- or p-type character for the semiconductor in question.

Een infrarode thermografische techniek voor snel parallel onderzoek van samenstellingsseries van potentiële chemische sensormaterialen is ontwikkeld. De techniek impliceert het toepassen van voltagebias en de bijbehorende stroom op de steekproefserie tijdens onderzoek. De thermografische reactie wordt vergroot door de weerstandsverandering die met gasadsorptie voorkomt, en als temperatuurverandering verbonden aan het verwarmen van I.sup.2 R direct gecontroleerd. Deze techniek kan ook worden gebruikt om n te bepalen - of p-type karakter voor de halfgeleider in kwestie.