The invention provides microelectronic devices such as integrated circuit devices. Such have vias, interconnect metallization and wiring lines using dissimilar low dielectric constant intermetal dielectrics. The use of both organic and inorganic low-k dielectrics offers advantages due to the significantly different plasma etch characteristics of the two kinds of dielectrics. One dielectric serves as the etchstop in etching the other dielectric so that no additional etchstop layer is required. A microelectronic device is formed having a substrate and a layer of a first dielectric material positioned on the substrate. A layer of a second dielectric material is positioned on the first dielectric layer and an additional layer of the first dielectric material positioned on the second dielectric material. At least one via extends through the first dielectric material layer and the second dielectric material layer, and at least one trench extends through the additional layer of the first dielectric material to the via. A lining of a barrier metal is formed on inside walls and a floor of the trench and on inside walls and a floor the via. A fill metal fills the trench and via in contact with the lining of the barrier metal.

La invención proporciona los dispositivos microelectrónicos tales como dispositivos del circuito integrado. Tales tienen vias, la metalización de la interconexión y líneas del cableado usando los dieléctricos intermetal bajos disímiles de la constante dieléctrica. El uso de las ventajas bajas-k orgánicas e inorgánicas de las ofertas de los dieléctricos debido a las características perceptiblemente diversas del grabado de pistas del plasma de las dos clases de dieléctricos. Un dieléctrico sirve como el etchstop en grabar al agua fuerte el otro dieléctrico para no requerir ninguna capa adicional del etchstop. Se forma un dispositivo microelectrónico teniendo un substrato y una capa de un primer material dieléctrico colocado en el substrato. Una capa de un segundo material dieléctrico se coloca en la primera capa dieléctrica y una capa adicional del primer material dieléctrico colocado en el segundo material dieléctrico. Por lo menos uno vía extiende con la primera capa material dieléctrica y la segunda capa material dieléctrica, y por lo menos un foso extiende con la capa adicional del primer material dieléctrico a vía. Una guarnición de un metal de la barrera se forma encendido dentro de paredes y de un piso de las paredes del foso y encendido del interior y de un piso vía. Un metal del terraplén llena el foso y vía en contacto de la guarnición del metal de la barrera.