A semiconductor wafer has an alignment mark for use in aligning the wafer with exposure equipment during the manufacturing of a semiconductor device. The wafer is made by forming a chemical mechanical polishing target layer over an alignment mark layer, chemically-mechanically polishing the target layer to planarize the same, and prior to forming the chemical mechanical polishing target layer over the alignment mark layer, forming a dense pattern of lands or trenches in the alignment layer of dimensions and an inter-spacing preselected to inhibit a dishing phenomenon from occurring in the target layer as the result of its being chemically-mechanically polished. The lands or trenches may be disposed in at least a 2.times.2 array of rows and columns. An alignment system for use with this wafer irradiates the mark with light, and includes an image sensor which produces both a Y-axis alignment waveform signal from light reflecting from the column(s) of lands or trenches and an X-axis alignment waveform signal from light reflecting from the row(s) of lands or trenches. Alternatively, the lands or trenches may be disposed along at least two lines arranged in the shape of a chevron. In this case, the alignment system scans an illuminated cross-shaped pattern of a reticle across the alignment mark. A photo-detection unit collects the reflected light and determines the relative amounts of light coming from the wafer surface, from one of the lines of lands or trenches of the alignment mark, and from the other such line of lands or trenches.

Una cialda a semiconduttore ha un contrassegno di allineamento per uso nell'allineamento della cialda con l'apparecchiatura di esposizione durante il manufacturing di un dispositivo a semiconduttore. La cialda è fatta formando uno strato di lucidatura meccanico chimico dell'obiettivo sopra uno strato del contrassegno di allineamento, chemically-mechanically lucidante lo strato dell'obiettivo planarize lo stesso e prima del formare lo strato di lucidatura meccanico chimico dell'obiettivo sopra lo strato del contrassegno di allineamento, formante un modello denso le terre o trincee nello strato di allineamento delle dimensioni e di un inter-gioco preselezionato per inibire un fenomeno servente dall'avvenimento nello strato dell'obiettivo mentre il risultato del relativo chemically-mechanically che è lucidato. Le terre o le trincee possono essere disposte di almeno in un allineamento 2.times.2 delle file e delle colonne. Un sistema di allineamento per uso con i irradiates di questa cialda il segn con luce ed include un sensore di immagine che produce sia un segnale di forma d'onda di allineamento di y-axis da luce che riflettono dal column(s) delle terre o delle trincee che da un segnale di forma d'onda di allineamento di x-axis da luce che riflette dal row(s) delle terre o delle trincee. Alternativamente, le terre o le trincee possono essere disposte di seguendo almeno due linee organizzate nella figura di un chevron. In questo caso, il sistema di allineamento esplora un modello cruciforme illuminato di un reticolo attraverso il contrassegno di allineamento. Un'unità di foto-rilevazione raccoglie la luce riflessa e determina gli importi relativi di luce che vengono dalla superficie della cialda, da una delle linee delle terre o delle trincee del contrassegno di allineamento e dall'altra tale linea delle terre o delle trincee.