Complex mixed metal containing thin films can be deposited by CVD from liquid mixtures of metal complexes without solvent by direct liquid injection and by other precursor dispersing method such as aerosol delivery with subsequent annealing to improve electrical properties of the deposited films. This process has potential for commercial success in microelectronics device fabrication of dielectrics, ferroelectrics, barrier metals/electrodes, superconductors, catalysts, and protective coatings. Application of this process, particularly the CVD of ZrSnTiOx (zirconium tin titanate, or ZTT) and HfSnTiOx (hafnium tin titanate, or HTT) thin films has been studied successfully.

Το σύνθετο μικτό μέταλλο που περιέχει τις λεπτές ταινίες μπορεί να εναποτεθεί από cvd από τα υγρά μίγματα συγκροτημάτων μετάλλων χωρίς διαλύτη από την άμεση υγρή έγχυση και με άλλη διασκορπίζοντας μέθοδο προδρόμων όπως η παράδοση αερολύματος με την επόμενη ανόπτηση για να βελτιώσει τις ηλεκτρικές ιδιότητες των κατατεθειμένων ταινιών. Αυτή η διαδικασία έχει τη δυνατότητα για την εμπορική επιτυχία στην επεξεργασία συσκευών μικροηλεκτρονικής των διηλεκτρικών, του ferroelectrics, των μετάλλων εμποδίων/των ηλεκτροδίων, των υπεραγωγών, των καταλυτών, και των προστατευτικών επιστρωμάτων. Η εφαρμογή αυτής της τεχνικής, ιδιαίτερα cvd (hafnium titanate κασσίτερου, ή HTT) των λεπτών ταινιών ZrSnTiOx (titanate κασσίτερου ζιρκονίου, ή ZTT) και HfSnTiOx έχει μελετηθεί επιτυχώς.