A method of removing photoresist and residue from a substrate begins by maintaining supercritical carbon dioxide, an amine, and a solvent in contact with the substrate so that the amine and the solvent at least partially dissolve the photoresist and the residue. Preferably, the amine is a tertiary amine. Preferably, the solvent is selected from the group consisting of DMSO, EC, NMP, acetyl acetone, BLO, acetic acid, DMAC, PC, and a mixture thereof. Next, the photoresist and the residue are removed from the vicinity of the substrate. Preferably, the method continues with a rinsing step in which the substrate is rinsed in the supercritical carbon dioxide and a rinse agent. Preferably, the rinse agent is selected from the group consisting of water, alcohol, a mixture thereof, and acetone. In an alternative embodiment, the amine and the solvent are replaced with an aqueous fluoride.

Μια μέθοδος photoresist και το υπόλειμμα από ένα υπόστρωμα αρχίζει με τη διατήρηση του εξαιρετικά κρίσιμου διοξειδίου του άνθρακα, μιας αμίνης, και ενός διαλύτη σε επαφή με το υπόστρωμα έτσι ώστε η αμίνη και ο διαλύτης τουλάχιστον μερικώς διαλύουν photoresist και το υπόλειμμα. Κατά προτίμηση, η αμίνη είναι μια τριτογενής αμίνη. Κατά προτίμηση, ο διαλύτης επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από DMSO, την ΕΚ, NMP, την ακετυλική ακετόνη, BLO, το οξικό οξύ, DMAC, το PC, και ένα μίγμα επ' αυτού. Έπειτα, photoresist και το υπόλειμμα αφαιρούνται από την εγγύτητα του υποστρώματος. Κατά προτίμηση, η μέθοδος συνεχίζεται με ένα ξεπλένοντας βήμα στο οποίο το υπόστρωμα ξεπλένεται στο εξαιρετικά κρίσιμο διοξείδιο του άνθρακα και έναν πράκτορα ξεβγαλμάτων. Κατά προτίμηση, ο πράκτορας ξεβγαλμάτων επιλέγεται από την ομάδα που αποτελείται από το ύδωρ, το οινόπνευμα, ένα μίγμα επ' αυτού, και την ακετόνη. Σε μια εναλλακτική ενσωμάτωση, η αμίνη και ο διαλύτης αντικαθίστανται με ένα υδάτινο φθορίδιο.