There are provided a semiconductor substrate and a semiconductor laser using the semiconductor substrate which promises smooth and optically excellent cleaved surfaces and is suitable for fabricating semiconductor lasers using nitride III-V compound semiconductors. Using a semiconductor substrate, such as GaN substrate, having a major surface substantially normal to a {0001}-oriented face, e.g. {01-10}-oriented face or {11-20}-oriented face, or offset within .+-.5.degree. from these faces, nitride III-V compound semiconductor layers are epitaxially grown on the substrate to form a laser structure. To make cavity edges, the GaN substrate is cleaved together with the overlying III-V compound semiconductor layers along high-cleavable {0001}-oriented faces.

É fornecido uma carcaça do semicondutor e um laser do semicondutor usando a carcaça do semicondutor que promete superfícies cleaved lisas e ótica excelentes e está apropriado para lasers fabricando do semicondutor usando semicondutores compostos do nitride III-V. Usando uma carcaça do semicondutor, tal como a carcaça de GaN, tendo uma superfície principal substancialmente normal a a {cara 0001}-oriented, por exemplo {cara 01-10}-oriented ou {a cara 11-20}-oriented, ou deslocado dentro do +-.5.degree. destas caras, camadas do semicondutor composto do nitride III-V é crescida epitaxially na carcaça para dar forma a uma estrutura do laser. Para fazer bordas da cavidade, a carcaça de GaN cleaved junto com as camadas sobrejacentes do semicondutor composto de III-V ao longo de elevado-high-cleavable {caras 0001}-oriented.