Repeater cells each comprising a buffer or an inverter and an n+ diffusion layer-P well type protection diode or a p+ diffusion layer-N well type antenna protection diode connected to an input pin of the buffer or the inverter for preventing antenna damage or an antenna rule error from occurring are previously registered by registration means 511 as the cells to be registered in a cell library 505. Whether or not a wiring conductor conducting to a gate electrode becomes an antenna ratio exceeding an allowed antenna radio in the semiconductor device is determined by determination means 514 and if the wiring conductor exceeds the allowable antenna radio, one or more repeater cells are inserted into any point of the wiring conductor by selection means 515.

Le cellule ciascuno del ripetitore che contiene un amplificatore o un invertitore e un pozzo di strato-P di diffusione di n+ scrivono il diodo a macchina di protezione o un tipo diodo del pozzo di strato-N di diffusione di p+ di protezione dell'antenna collegato ad un perno dell'input dell'amplificatore o all'invertitore per impedire danni dell'antenna o un errore di regola dell'antenna l'avvenimento precedentemente è registrato attraverso i mezzi 511 di registro come le cellule per essere registrato in una biblioteca 505 delle cellule. Se o non un conduttore dei collegamenti che conduce ad un elettrodo di cancello si transforma in in un rapporto dell'antenna che eccede una radio permessa dell'antenna nel dispositivo a semiconduttore è determinata attraverso i mezzi 514 di determinazione e se il conduttore dei collegamenti eccede la radio permissibile dell'antenna, una o più cellule del ripetitore sono inserite in qualsiasi punto del conduttore dei collegamenti attraverso i mezzi 515 di selezione.