A semiconductor device with a transistor having a first impurity region, a second impurity region, and a gate electrode formed on a semiconductor substrate. The semiconductor device also includes a first insulating film covering the transistor, and a capacitor formed on the first insulating film. The capacitor includes a dielectric film formed of either ferroelectric material or high dielectric material, and an upper electrode and a lower electrode positioned to put the dielectric film therebetween. A second insulating film is formed on the capacitor, and a wiring layer is formed on the second insulating film. A nitride film covers the wiring layer and a first silicon oxide film formed on the nitride film includes nitrogen at least at the surface thereof.

Un dispositivo de semiconductor con un transistor que tenía una primera región de la impureza, una segunda región de la impureza, y un electrodo de puerta formó en un substrato del semiconductor. El dispositivo de semiconductor también incluye una primera película aislador que cubre el transistor, y un condensador formado en la primera película aislador. El condensador incluye una película dieléctrica formada del material ferroelectric o del alto material dieléctrico, y un electrodo superior y un electrodo más bajo colocados para poner la película dieléctrica therebetween. Una segunda película aislador se forma en el condensador, y una capa del cableado se forma en la segunda película aislador. Una película del nitruro cubre la capa del cableado y una primera película del óxido del silicio formada en la película del nitruro incluye el nitrógeno por lo menos en la superficie de eso.