An improved integrated circuit area efficient redundancy multiplexer circuit technique provides similar functionality to conventional CMOS transmission, or "pass" gates while concomitantly reducing circuit complexity, the die area necessary to support redundant elements and complementary control signals in memory device ICs and undesired parasitic capacitance. The technique of the present invention effectuates this end by utilizing the on-chip boosted voltage levels (V.sub.pp) which are generally available in integrated circuit memory devices to supply the voltage for the control signal applied to a single N-channel transistor pass gate instead of the conventional supply voltage level of V.sub.cc. The V.sub.pp voltage and circuit ground ("GND") are then utilized as the logic "high" and "low" signal levels respectively. This use is made possible due to the fact that these control signals operate at a direct current ("DC") level after device power-up. When the integrated circuit has powered-up and is stabilized (and after the redundancy has been programmed), the signal levels of the single transistor N-channel pass gates are stabilized. The significant reduction in undesired parasitic capacitance that is also provided allows for higher throughput speeds in the address and data paths.

Une technique efficace améliorée de circuit de multiplexeur de redondance de secteur de circuit intégré fournit la fonctionnalité semblable à la transmission conventionnelle de CMOS, ou les portes de "passage" tout en simultanément réduisant la complexité de circuit, le secteur de matrice nécessaire pour soutenir les éléments superflus et les signaux de commande complémentaires dans le bloc de mémoires ICs et la capacité parasite peu désirée. La technique de la présente invention effectue cette extrémité en utilisant les niveaux de tension amplifiés parmorceau (V.sub.pp) qui sont généralement disponibles dans des blocs de mémoires de circuit intégré pour assurer la tension pour le signal de commande appliqué à une porte simple de passage de transistor de N-canal au lieu du niveau conventionnel de tension d'alimentation de V.sub.cc. La tension de V.sub.pp et le au sol de circuit (la "terre") ser alors de "bas" de logique du signal de "haute" et nivelle respectivement. Cette utilisation est rendue étant donné possible que ces signaux de commande actionnent niveau du courant continu (à un "C.C") après mise sous tension de dispositif. Quand le circuit intégré a actionné-vers le haut et est stabilisé (et après que la redondance ait été programmée), les niveaux de signal des portes simples de passage de N-canal de transistor sont stabilisés. La réduction significative de la capacité parasite peu désirée qui est également fournie tient compte des vitesses plus élevées de sortie dans les circulations d'adresse et de données.