A method for forming a multi-layer protective coating over a porous low-k (dielectric constant) material for use in a multiple layer semiconductor device including providing a semiconductor process wafer including a process surface said process surface including an uppermost surface of a low-k porous material layer said low-k porous material layer including a plurality of openings penetrating the process surface; and, spin coating a flowable dielectric onto the process surface to form a plurality of protective sealing layers such that the porosity of the low-k porous material layer is substantially maintained and the plurality of protective sealing layers are formed such that the migration of water (H.sub.2 O) is substantially blocked through at least an uppermost protective sealing layer surface.

Um método para dar forma a um revestimento protetor multi-layer sobre (um material baixo-k poroso da constante dieléctrica) para o uso em um dispositivo de semicondutor múltiplo da camada including fornecer um wafer do processo do semicondutor including uma superfície process disse a superfície process including uma superfície a mais mais alta de uma camada material porosa baixa-k dita da camada material porosa baixa-k including um plurality das aberturas que penetram a superfície process; e, a rotação que reveste um dielétrico flowable na superfície process para dar forma a um plurality do sealing protetor mergulha tais que a porosidade da camada material porosa baixa-k está mantida substancialmente e o plurality de camadas protetoras do sealing está dado forma tais que a migração da água (H.sub.2 O) é obstruído substancialmente através ao menos de uma superfície protetora a mais mais alta da camada do sealing.