A semiconductor memory device is constituted by forming two types of insulation films on the channel of an MOS transistor on which a vertical type another MOS transistor using the control gate of the MOS transistor as a substrate is stacked. Thus, a non-volatile semiconductor memory device small in size, having high reliability, high density, excellent fatigue and a random access function can be provided.

Um dispositivo de memória do semicondutor é constituído dando forma a dois tipos de películas da isolação na canaleta de um transistor do MOS em que um tipo vertical um outro transistor do MOS que usa a porta do controle do transistor do MOS como uma carcaça é empilhado. Assim, um dispositivo de memória permanente do semicondutor pequeno no tamanho, tendo a confiabilidade elevada, a densidade elevada, a fatiga excelente e uma função do acesso aleatório pode ser fornecido.