A lower electrode film is made to have a crystal grain laminated structure composed of a granular structure crystal grain layer and a columnar structure crystal grain layer. Also, a barrier layer is formed to be a granular structure crystal grain layer made of tantalum nitride containing 10 atm % or more and 50 atm % or less of nitrogen. Thereby, a semiconductor device comprising electrode films wherein both favorable oxygen barrier performance and current conductivity are compatible can be provided.

Uma película mais baixa do elétrodo é feita para ter a grão de cristal uma estrutura laminada composta de uma camada de cristal da grão da estrutura granular e de uma camada de cristal da grão da estrutura columnar. Também, uma camada de barreira é dada forma para ser uma camada de cristal da grão da estrutura granular feita do nitride do tantalum que contem 10 atm % ou mais e 50 atm % ou menos do nitrogênio. Desse modo, um dispositivo de semicondutor que compreende películas do elétrodo wherein o desempenho favorável da barreira do oxigênio e o conductivity atual são compatíveis pode ser fornecido.