A dynamic threshold-voltage MOSFET (DTMOS) enables a low power consumption, even during use under conditions of a comparatively high gate voltage. A first contact portion and a gate electrode are placed in electrical contact by a resistance portion. A part of an interconnecting portion is utilized as the resistance portion, by making the width of the part of the interconnecting portion smaller than the width of a remaining part of the interconnecting portion. The forward-direction current flowing through a PN junction formed by a body region and a source region is limited by the resistance portion, even when a comparatively high voltage is applied to the gate electrode. Thus the current between the body region and the source region can be held low. As a result, the power consumption can be reduced, even when the MOS field-effect transistor is used under conditions of a comparatively high gate voltage.

Динамический mosfet порог-napr4jeni4 тока (DTMOS) включает низкий расхода энергии, ровный во время пользы под условиями сравнительно высокого напряжения тока строба. Часть первого контакта и электрод строба помещены в электрическом контакте частью сопротивления. Часть соединяя части использована как часть сопротивления, путем делать ширину части соединяя части более малой чем ширина остальной части соединяя части. Пропускать передн-napravleni4 в настоящее время через соединение pn сформированное зоной тела и зоной источника ограничен частью сопротивления, even when сравнительно высоковольтное приложено к электроду строба. Таким образом течением между зоной тела и зоной источника может быть, котор держат низкий уровень. В результате, расхода энергии можно уменьшить, even when транзистор field-effect mos использован под условиями сравнительно высокого напряжения тока строба.